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BSP206
NXP 恩智浦 电子元器件分类

BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -60V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.359A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 6Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1.5--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| FEATURES • Very low RDSon • Direct interface to C-MOS, TTL, • High-speed switching • No secondary breakdown 描述与应用| •非常低的RDS(on) •直接连接C-MOS,TTL, •高速开关 •无二次击穿


Win Source:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor


BSP206中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.35A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

BSP206引脚图与封装图
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BSP206 NXP 恩智浦 BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿 搜索库存
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型号: BSP206

品牌: NXP 恩智浦

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BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿

当前型号

型号: ZVN4206GVTA

品牌: 美台

封装: SOT-223 N-Channel 60V 1A 1.5Ω 20pF

功能相似

ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223

BSP206和ZVN4206GVTA的区别