BSD235N H6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSD235N H6327中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 63pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 1.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.90 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSD235N H6327引脚图与封装图
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在线购买BSD235N H6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSD235N H6327 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6Pin SOT-363 T/R | 搜索库存 |