BSZ100N06LS3G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
上升时间 58 ns
下降时间 8 ns
引脚数 8
封装 8-TSDSON
封装 8-TSDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSZ100N06LS3G | Infineon 英飞凌 | 60V,17.9mΩ,20A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |