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BCX51-16E6327

BCX51-16E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

SOT-89 PNP 45V 1A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 45V 1A SOT89-4


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


BCX51-16E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCX51-16E6327引脚图与封装图
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BCX51-16E6327 Infineon 英飞凌 SOT-89 PNP 45V 1A 搜索库存
替代型号BCX51-16E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCX51-16E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-89 PNP 45V 1A

当前型号

SOT-89 PNP 45V 1A

当前型号

型号: BCX51-16,115

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封装:

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