BSC152N10NSFG
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSC152N10NSFG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 114 W
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 1900pF @50VVds
额定功率Max 114 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
外形尺寸
封装 PowerTDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSC152N10NSFG引脚图与封装图
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在线购买BSC152N10NSFG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC152N10NSFG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSC152N10NSFG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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