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BSL211SPL6327

BSL211SPL6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

20V,-4.7A,P沟道功率MOSFET

P-Channel 20 V 4.7A Ta 2W Ta Surface Mount PG-TSOP6-6-6


得捷:
P-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
BSL211SPL6327


力源芯城:
-20V,-4.7A,P沟道功率MOSFET


BSL211SPL6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -4.70 A

极性 P-Channel

输入电容 654 pF

栅电荷 12.4 nC

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

输入电容Ciss 654pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSL211SPL6327引脚图与封装图
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BSL211SPL6327 Infineon 英飞凌 20V,-4.7A,P沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSL211SPL6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSL211SPL6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TSOP P-Channel 20V 4.7A 654pF

当前型号

20V,-4.7A,P沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSL211SPL6327XT

品牌: 英飞凌

封装: TSOP

完全替代

Power Field-Effect Transistor, 4.7A ID, 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-6

BSL211SPL6327和BSL211SPL6327XT的区别

型号: BSL211SP

品牌: 英飞凌

封装: TSOP P-CH 20V 4.7A

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BSL211SPL6327和BSL211SP的区别

型号: DMP2066LDM-7

品牌: 美台

封装: SOT-26 P-Channel 20V 4.6A

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