BSD223PL6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSD223PL6327中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 56pF @15VVds
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VSSOP-6
外形尺寸
封装 VSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSD223PL6327引脚图与封装图
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在线购买BSD223PL6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSD223PL6327 | Infineon 英飞凌 | 20V,-0.39A,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSD223PL6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSD223PL6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 6-VSSOP | 当前型号 | 20V,-0.39A,P沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSD223P 品牌： 英飞凌 封装： SOT-323 20V 390mA | 类似代替 | 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor | BSD223PL6327和BSD223P的区别 |