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BZT52B10S
Taiwan Semiconductor 台湾半导体 分立器件
BZT52B10S中文资料参数规格
技术参数

测试电流 5 mA

稳压值 10 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BZT52B10S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BZT52B10S Taiwan Semiconductor 台湾半导体 200mW,BZT52B...S 系列,Taiwan Semiconductor 齐纳电压容差为 2% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor 搜索库存
替代型号BZT52B10S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZT52B10S

品牌: Taiwan Semiconductor 台湾半导体

封装:

当前型号

200mW,BZT52B...S 系列,Taiwan Semiconductor齐纳电压容差为 2% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

当前型号

型号: BZT52C10KRKG

品牌: 台湾半导体

封装:

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型号: BZT52B10S-TP

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