BUJD105AD,118
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We En Semiconductor
分立器件
BUJD105AD,118中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 8
最大电流放大倍数hFE 36
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUJD105AD,118引脚图与封装图
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在线购买BUJD105AD,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUJD105AD,118 | We En Semiconductor | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS NPN 700V 8A | 搜索库存 |
替代型号BUJD105AD,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUJD105AD,118 品牌： We En Semiconductor 封装： DPAK NPN 80000mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS NPN 700V 8A | 当前型号 |
| 型号： BUJ105AD,118 品牌： We En Semiconductor 封装： DPAK NPN 80000mW | 类似代替 | DPAK NPN 400V 8A | BUJD105AD,118和BUJ105AD,118的区别 |