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BUJD105AD,118、BUJ105AD,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUJD105AD,118 BUJ105AD,118

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 700V 8ADPAK NPN 400V 8A

数据手册 --

制造商 We En Semiconductor We En Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 NPN NPN

耗散功率 80 W 80 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V

集电极最大允许电流 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 8 13 @500mA, 5V

额定功率(Max) 80 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW 80000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 36 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.38 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅