BUJ105AD,118
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We En Semiconductor
分立器件
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 13 @500mA, 5V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUJ105AD,118 | We En Semiconductor | DPAK NPN 400V 8A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUJ105AD,118 品牌: We En Semiconductor 封装: DPAK NPN 80000mW | 当前型号 | DPAK NPN 400V 8A | 当前型号 | |
型号: BUJD105AD,118 品牌: We En Semiconductor 封装: DPAK NPN 80000mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS NPN 700V 8A | BUJ105AD,118和BUJD105AD,118的区别 |