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BFG135,115

BFG135,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

RF Bipolar Transistors NPN 150mA 15V 7GHz

RF NPN 15V 150mA 7GHz 1W 表面贴装型 SC-73


得捷:
RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223


贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN 150MA 15V 7GHZ


艾睿:
Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223


Win Source:
TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223


BFG135,115中文资料参数规格
技术参数

频率 7000 MHz

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

增益频宽积 7000 MHz

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 80 @100mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 130

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFG135,115引脚图与封装图
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在线购买BFG135,115
型号 制造商 描述 购买
BFG135,115 NXP 恩智浦 RF Bipolar Transistors NPN 150mA 15V 7GHz 搜索库存
替代型号BFG135,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BFG135,115

品牌： NXP 恩智浦

封装： TO-261-4 NPN 1000mW

当前型号

RF Bipolar Transistors NPN 150mA 15V 7GHz

当前型号

型号： BFG135

品牌： 恩智浦

封装： SOT-223 NPN

功能相似

NXP  BFG135  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFE

BFG135,115和BFG135的区别