BFG135
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NXP
恩智浦
分立器件
BFG135中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
直流电流增益hFE 130
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 射频通信, Audio, 音频, RF Communications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BFG135引脚图与封装图 
BFG135引脚图
BFG135封装图
BFG135封装焊盘图
在线购买BFG135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFG135 | NXP 恩智浦 | NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFE | 搜索库存 |
替代型号BFG135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFG135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 NPN | 当前型号 | NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFE | 当前型号 |
| 型号： BFG19SE6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 15V 100mA | 类似代替 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | BFG135和BFG19SE6327的区别 |
| 型号： BFG35,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN 1000mW | 功能相似 | NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE | BFG135和BFG35,115的区别 |
| 型号： BFQ18A,115 品牌： 恩智浦 封装： TO-243AA NPN 1000mW | 功能相似 | BFQ18A 系列 18 V 1 W 4 GHz 表面贴装 NPN 宽带 晶体管 - SOT-89 | BFG135和BFQ18A,115的区别 |