BCR 133 B6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

BCR 133 B6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR 133 B6327引脚图与封装图

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