BC550C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 625 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC550C引脚图与封装图
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在线购买BC550C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC550C | ON Semiconductor 安森美 | 低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC550C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC550C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 45V 100mA | 当前型号 | 低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC550CG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 100mA 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC550CG 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 250 MHz, 625 mW, 100 mA, 500 hFE | BC550C和BC550CG的区别 |
| 型号： BC549C 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W1/2W; TO92 | BC550C和BC549C的区别 |