BD810中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 90.0 W
集电极击穿电压 80.0 V
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 15 @4A, 2V
额定功率Max 90 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD810引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD810
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD810 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -80V -10A 90W | 当前型号 | 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICON | 当前型号 |
| 型号： BD810G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -80V 10A 90000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BD810G. 双极性晶体管 | BD810和BD810G的区别 |