BC807-16LT3中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC807-16LT3引脚图与封装图
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在线购买BC807-16LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC807-16LT3 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC807-16LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC807-16LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP | 当前型号 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 当前型号 |
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