BC239C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 380 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC239C引脚图与封装图
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在线购买BC239C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC239C | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC239C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC239C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 25V 100mA | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
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| 型号： BC237B 品牌： Multicomp 封装： TO-92 NPN 350mW | 功能相似 | MULTICOMP BC237B 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 290 hFE | BC239C和BC237B的区别 |