BC857BTT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC857BTT1引脚图与封装图
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在线购买BC857BTT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857BTT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC857BTT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BTT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 PNP -45V -100mA | 当前型号 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC857BTT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 PNP -45V -100mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC857BTT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 150 hFE | BC857BTT1和BC857BTT1G的区别 |
| 型号： BC857BT,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 0.15W | 功能相似 | NXP BC857BT,115 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE | BC857BTT1和BC857BT,115的区别 |
| 型号： BC857BT 品牌： 恩智浦 封装： SOT-416 | 功能相似 | PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors | BC857BTT1和BC857BT的区别 |