BC237C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 380 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC237C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC237C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC237C | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC237C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC237C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 45V 100mA | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC237CTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 45V 100mA | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | BC237C和BC237CTA的区别 |
| 型号： BC237CBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | BC237C和BC237CBU的区别 |