BC373中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC373引脚图与封装图
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在线购买BC373
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC373 | ON Semiconductor 安森美 | 高压达林顿晶体管（ NPN硅） High Voltage Darlington TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC373
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC373 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A | 当前型号 | 高压达林顿晶体管（ NPN硅） High Voltage Darlington TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC373RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A 1500mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC373RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE | BC373和BC373RL1G的区别 |
| 型号： BC373G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A 1500mW | 完全替代 | 高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors | BC373和BC373G的区别 |