BC639-16ZL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC639-16ZL1引脚图与封装图
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在线购买BC639-16ZL1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC639-16ZL1 | ON Semiconductor 安森美 | TO-92 NPN 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号BC639-16ZL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC639-16ZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A | 当前型号 | TO-92 NPN 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BC63916_D74Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 80V 1A 1000mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 Ammo | BC639-16ZL1和BC63916_D74Z的区别 |
| 型号： BC63916_D27Z 品牌： 安森美 封装： TO-92 1000mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 T/R | BC639-16ZL1和BC63916_D27Z的区别 |