BC337ZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 800 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 210 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC337ZL1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC337ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC337ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC337ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC337ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 800mA | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC337ZL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 800mA | 完全替代 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | BC337ZL1G和BC337ZL1的区别 |
| 型号： BC33725TA 品牌： 安森美 封装： TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC337ZL1G和BC33725TA的区别 |
| 型号： PN2907ABU 品牌： 安森美 封装： TO-226-3 625mW | 类似代替 | PN系列 PNP 625 mW 60 V 800 mA 通孔 通用 晶体管-TO-92-3 | BC337ZL1G和PN2907ABU的区别 |