BC847CWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC847CWT1引脚图与封装图
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在线购买BC847CWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847CWT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC847CWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847CWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 45V 100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC847CWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 45V 100mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847CWT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 420 hFE | BC847CWT1和BC847CWT1G的区别 |