BC856ALT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC856ALT1引脚图与封装图
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在线购买BC856ALT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC856ALT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC856ALT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC856ALT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23/SC-59 PNP -65V -100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC856ALT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA | 完全替代 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon | BC856ALT1和BC856ALT3G的区别 |
| 型号： BC856ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC856ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE | BC856ALT1和BC856ALT1G的区别 |
| 型号： BC856A-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 65V 100mA 350mW | 类似代替 | 三极管 | BC856ALT1和BC856A-7-F的区别 |