BC558CZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC558CZL1G引脚图与封装图
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在线购买BC558CZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC558CZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC558CZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC558CZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -100mA | 当前型号 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC559CTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -30V -100mA 0.5W | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC559CTA 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 420 hFE | BC558CZL1G和BC559CTA的区别 |