BD436T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
额定功率Max 36 W
耗散功率Max 36 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BD436T引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD436T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD436T 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225AA PNP -32V -4A | 当前型号 | TO-225 PNP 32V 4A | 当前型号 |
| 型号： BD436S 品牌： 安森美 封装： TO-225AA | 类似代替 | TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126 | BD436T和BD436S的区别 |
| 型号： BD436STU 品牌： 安森美 封装： TO-225AA | 类似代替 | TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126 | BD436T和BD436STU的区别 |
| 型号： 2N5884G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -80V -25A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5884G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE | BD436T和2N5884G的区别 |