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BC858CLT1

BC858CLT1

数据手册.pdf

通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 PNP硅 特点 •无铅包可用

BC858CLT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 225 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC858CLT1引脚图与封装图
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在线购买BC858CLT1
型号 制造商 描述 购买
BC858CLT1 ON Semiconductor 安森美 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon 搜索库存
替代型号BC858CLT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BC858CLT1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23/SC-59 PNP -30V -100mA

当前型号

通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

当前型号

型号： BC858CLT3G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW

类似代替

小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

BC858CLT1和BC858CLT3G的区别

型号： BC858CMTF

品牌： 安森美

封装： SOT-23 310mW

类似代替

ON Semiconductor BC858CMTF , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 SOT-23封装

BC858CLT1和BC858CMTF的区别

型号： BC858CLT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

BC858CLT1和BC858CLT1G的区别