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BQ4011YMA-70N

BQ4011YMA-70N

TI(德州仪器) 电子元器件分类

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

GENERAL DESCRIPON

The CMOS bq4011/Y/LY is a nonvolatile 262,144-bit static RAM organized as 32,768 words by 8bits. The integral control circuitry and lithium energy source provide reliable nonvolatility coupled with the

unlimited write cycles of standard SRAM.

The control circuitry constantly monitors the single supply for an out-of-tolerance condition. When VCC falls out of tolerance, the SRAM is unconditionally write-protected to prevent an inadvertent write operation.

FEATURES

• Data Retention for at least 10 Years Without Power

• Automatic Write-Protection During Power-up/Power-down Cycles

• Conventional SRAM Operation, Including Unlimited Write Cycles

• Internal Isolation of Battery before Power Application

• 5-V or 3.3-V Operation

• Industry Standard28-Pin DIP Pinout

BQ4011YMA-70N中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

存取时间 70.0 ns

内存容量 32000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

BQ4011YMA-70N引脚图与封装图
BQ4011YMA-70N引脚图

BQ4011YMA-70N引脚图

BQ4011YMA-70N封装图

BQ4011YMA-70N封装图

BQ4011YMA-70N封装焊盘图

BQ4011YMA-70N封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
BQ4011YMA-70N TI 德州仪器 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM 搜索库存
替代型号BQ4011YMA-70N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BQ4011YMA-70N

品牌: TI 德州仪器

封装: 28-DIP 32000B 5V 70ns 28Pin

当前型号

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

当前型号

型号: BQ4011YMA-70

品牌: 德州仪器

封装: DIP 256000B 5V 70ns 28Pin

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