BS170RLRMG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
通道数 1
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 60pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BS170RLRMG引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BS170RLRMG | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 500毫安, 60伏特N沟道TO- 92 ( TO- 226 ) Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 TO−226 | 搜索库存 |