BF720T3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 1.5 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF720T3G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF720T3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF720T3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 300V 100mA | 当前型号 | NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： BF720T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 300V 100mA 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BF720T1G 双极晶体管 | BF720T3G和BF720T1G的区别 |