额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCX71JLT1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23 PNP -45V -100mA | 当前型号 | SOT-23 PNP 45V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BCX71JLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -45V -100mA | 完全替代 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | BCX71JLT1和BCX71JLT1G的区别 | |
型号: BCX71J 品牌: 安森美 封装: TO-236-3 350mW | 完全替代 | 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BCX71JLT1和BCX71J的区别 | |
型号: BCX71JE6327 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 PNP 45V 100mA | 类似代替 | SOT-23 PNP 45V 0.1A | BCX71JLT1和BCX71JE6327的区别 |