BUL45中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 5.00 A
极性 N-Channel
耗散功率 75.0 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 14 @300mA, 5V
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BUL45引脚图与封装图
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在线购买BUL45
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUL45 | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管5.0安培700伏35和75瓦 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS | 搜索库存 |
替代型号BUL45
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUL45 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220AB N-Channel 400V 5A 75W | 当前型号 | 功率晶体管5.0安培700伏35和75瓦 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS | 当前型号 |
| 型号： BUL45G 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 400V 5A 75W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BUL45G 射频双极晶体管 | BUL45和BUL45G的区别 |