BC858CDW1T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC858CDW1T1G引脚图与封装图
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在线购买BC858CDW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858CDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号BC858CDW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858CDW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 PNP -30V -100mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC858CDW1T1 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -30V -100mA | 完全替代 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | BC858CDW1T1G和BC858CDW1T1的区别 |
| 型号： BC857CDW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -45V -100mA 380mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC857CDW1T1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE | BC858CDW1T1G和BC857CDW1T1G的区别 |
| 型号： BC857CDW1T1 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -45V -100mA | 功能相似 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | BC858CDW1T1G和BC857CDW1T1的区别 |