BC847BPDXV6T1中文资料参数规格
技术参数
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC847BPDXV6T1引脚图与封装图
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在线购买BC847BPDXV6T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847BPDXV6T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号BC847BPDXV6T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847BPDXV6T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 100mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： BC847BPDXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 45V 100mA | 完全替代 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | BC847BPDXV6T1和BC847BPDXV6T5G的区别 |
| 型号： BC847BPDXV6T5 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN+PNP | 完全替代 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | BC847BPDXV6T1和BC847BPDXV6T5的区别 |
| 型号： BC847BPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 100mA 500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BPDXV6T1G 双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563 新 | BC847BPDXV6T1和BC847BPDXV6T1G的区别 |