BC489中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 2V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC489引脚图与封装图
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在线购买BC489
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC489 | ON Semiconductor 安森美 | 大电流晶体管（ NPN硅） High Current TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC489
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC489 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA | 当前型号 | 大电流晶体管（ NPN硅） High Current TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC489G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA | 完全替代 | 大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are PbâFree Devices | BC489和BC489G的区别 |
| 型号： BC487G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 60V 500mA | 功能相似 | 大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon | BC489和BC487G的区别 |
| 型号： BC639-10-BP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A IC, 80V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | BC489和BC639-10-BP的区别 |