BF421ZL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -300 V
额定电流 -50.0 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BF421ZL1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF421ZL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF421ZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -300V -50mA | 当前型号 | TO-92 PNP 300V 0.05A | 当前型号 |
| 型号： BF421ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -300V -50mA | 类似代替 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | BF421ZL1和BF421ZL1G的区别 |
| 型号： BF423ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -250V -50mA 830mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE | BF421ZL1和BF423ZL1G的区别 |
| 型号： BF823,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 0.25W | 功能相似 | BF823 系列 300 V 50 mA PNP 高压 晶体管 - SOT23-3 | BF421ZL1和BF823,215的区别 |