BUV22中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 40.0 A
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 40A
最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 4V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 38.86 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUV22引脚图与封装图
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在线购买BUV22
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUV22 | ON Semiconductor 安森美 | SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号BUV22
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUV22 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 250V 40A | 当前型号 | SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： BUV22G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 250V 40A 250000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BUV22G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 8 hFE | BUV22和BUV22G的区别 |