额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 56 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号: BC368G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 20V 1A | 当前型号 | 电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative | 当前型号 |
| 型号: ZTX550 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 45V 1A 1000mW | 功能相似 | ZTX550 系列 PNP 1 A 45 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3 | BC368G和ZTX550的区别 |
| 型号: ZTX450 品牌: 美台 封装: TO-92 NPN 45V 1A 1000mW | 功能相似 | ZTX450 编带 | BC368G和ZTX450的区别 |
| 型号: NTE123AP 品牌: NTE Electronics 封装: TO-92 NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE123AP 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 1.5 W, 600 mA, 100 hFE | BC368G和NTE123AP的区别 |
