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BMS3004-1E

BMS3004-1E

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, P沟道, -68 A, -75 V, 0.0065 ohm, -10 V

通孔 P 通道 68A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3SG


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MOSFET P-CH 75V 68A TO220F-3SG


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P沟道 75V 68A


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MOSFET P-CH 75V 68A TO220F-3SG / P-Channel 75 V 68A Ta 2W Ta, 40W Tc Through Hole TO-220F-3SG


BMS3004-1E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 P-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 68A

上升时间 245 ns

输入电容Ciss 13400pF @20VVds

下降时间 650 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

BMS3004-1E引脚图与封装图
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BMS3004-1E ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, P沟道, -68 A, -75 V, 0.0065 ohm, -10 V 搜索库存