BFL4001-1E中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.7 Ω
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 850pF @30VVds
下降时间 52 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 37W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFL4001-1E引脚图与封装图
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在线购买BFL4001-1E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFL4001-1E | ON Semiconductor 安森美 | N沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω | 搜索库存 |
替代型号BFL4001-1E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFL4001-1E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 | 当前型号 | N沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω | 当前型号 |
| 型号： BFL4001 品牌： 安森美 封装： TO-220-5 N-CH 900V 4.1A 2.7ohms 4V | 类似代替 | TO-220F-3FS N-CH 900V 4.1A 2.7Ω | BFL4001-1E和BFL4001的区别 |