BD681G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD681G引脚图与封装图 
BD681G引脚图
BD681G封装焊盘图
在线购买BD681G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD681G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BD681G. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | 搜索库存 |
替代型号BD681G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD681G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225-3 NPN 100V 4A 40000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BD681G. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | 当前型号 |
| 型号： BD442 品牌： 安森美 封装： TO-225AA PNP | 类似代替 | 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor | BD681G和BD442的区别 |
| 型号： BD681 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 100V 4A 40000mW | 类似代替 | 达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON | BD681G和BD681的区别 |
| 型号： BD681STU 品牌： 安森美 封装： TO-126-3 40000mW | 类似代替 | 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | BD681G和BD681STU的区别 |