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BD679G

BD679G

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塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 80 V 4 A - 40 W 通孔 TO-126


立创商城:
BD679G


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TRANS NPN DARL 80V 4A TO126


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达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN


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Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


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Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225


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Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD679G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 200 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225


BD679G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

最大电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD679G引脚图与封装图
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在线购买BD679G
型号 制造商 描述 购买
BD679G ON Semiconductor 安森美 塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons 搜索库存
替代型号BD679G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BD679G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225-3 NPN 80V 4A 40000mW

当前型号

塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

当前型号

型号： MJE802G

品牌： 安森美

封装： TO-225-3 NPN 80V 4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJE802G.  双极晶体管

BD679G和MJE802G的区别

型号： BD679AG

品牌： 安森美

封装： TO-225 NPN 80V 4A 40000mW

类似代替

NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

BD679G和BD679AG的区别

型号： BD679

品牌： 安森美

封装： TO-225 NPN 80V 4A 40000mW

类似代替

塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

BD679G和BD679的区别