BFP420H6433XTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFP420H6433XTMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
耗散功率 210 mW
击穿电压集电极-发射极 5 V
增益 21 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @20mA, 4V
额定功率Max 160 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 210 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BFP420H6433XTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BFP420H6433XTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFP420H6433XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE | 搜索库存 |
替代型号BFP420H6433XTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFP420H6433XTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SC-82A 210mW | 当前型号 | 晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE | 当前型号 |
| 型号： BFP420H6327XTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SC-82A NPN 210mW | 功能相似 | INFINEON BFP420H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343 | BFP420H6433XTMA1和BFP420H6327XTSA1的区别 |