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BD179G

ON SEMICONDUCTOR  BD179G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE

是一款80V NPN中等功率硅双极, 设计用于5至10W音频放大器和驱动器, 互补或准互补电路。

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对应款式为 BD180

得捷:
TRANS NPN 80V 3A TO126


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-225 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD179G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE


Win Source:
TRANS NPN 80V 3A TO-225


BD179G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 30 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 3

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Audio, 音频, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD179G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BD179G
型号 制造商 描述 购买
BD179G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BD179G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE 搜索库存
替代型号BD179G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD179G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225 NPN 80V 3A 30000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BD179G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE

当前型号

型号: BD179

品牌: 安森美

封装: TO-225 NPN 80V 3A

完全替代

功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON

BD179G和BD179的区别

型号: BD17910STU

品牌: 安森美

封装:

完全替代

TRANS NPN 80V 3A TO-126

BD179G和BD17910STU的区别