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BSP50H6327XTSA1

BSP50H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BSP50H6327XTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=45 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

复合,


得捷:
TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4


欧时:
Infineon BSP50H6327XTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=45 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


艾睿:
Trans Darlington NPN 45V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223


安富利:
Trans Darlington NPN 45V 2A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223


Verical:
Trans Darlington NPN 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4 / Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 45 V 1 A 200MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT223-4


BSP50H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSP50H6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BSP50H6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP50H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BSP50H6327XTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=45 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 搜索库存