BFP182RE7764HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定电压DC 12.0 V
额定电流 35.0 mA
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 22 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143R-4
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-143R-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BFP182RE7764HTSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BFP182RE7764HTSA1 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装 | 搜索库存 |