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BC817-40LT1

BC817-40LT1

数据手册.pdf

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 700mV/0.7V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 NPN硅 特点 •无铅包可用

BC817-40LT1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC817-40LT1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC817-40LT1 ON Semiconductor 安森美 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon 搜索库存
替代型号BC817-40LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BC817-40LT1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23

当前型号

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

当前型号

型号： BC817-40LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 300mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管

BC817-40LT1和BC817-40LT1G的区别

型号： BC817-40LT3G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 300mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

BC817-40LT1和BC817-40LT3G的区别

型号： SBC817-40LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 NPN 300mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  SBC817-40LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

BC817-40LT1和SBC817-40LT1G的区别