BAS40LT3G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
正向电压 1V @40mA
正向电流 120 mA
正向电压Max 1V @40mA
正向电流Max 120 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAS40LT3G引脚图与封装图 
BAS40LT3G引脚图
BAS40LT3G封装焊盘图
替代型号BAS40LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS40LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 | 当前型号 | 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes | 当前型号 |
| 型号： BAS40LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 5A | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BAS40LT1G 小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C | BAS40LT3G和BAS40LT1G的区别 |