BC337-25RLRAG中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC337-25RLRAG引脚图与封装图
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在线购买BC337-25RLRAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC337-25RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号BC337-25RLRAG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC337-25RLRAG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 29-11 625mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： BC337-25ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 800mA 625mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC337-25ZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 160 hFE | BC337-25RLRAG和BC337-25ZL1G的区别 |
| 型号： BC33725TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 625mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC33725TA 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 400 hFE | BC337-25RLRAG和BC33725TA的区别 |
| 型号： BC337-25RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 800mA 625mW | 类似代替 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SILICON | BC337-25RLRAG和BC337-25RL1G的区别 |